FQP8P10 |
RFQ for FQP8P10 |
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| Technical/Catalog Information | FQP8P10 |
| Vendor | Fairchild Semiconductor |
| Category | Discrete Semiconductor Products |
| Mounting Type | Through Hole |
| FET Polarity | P-Channel |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 8A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 530 mOhm @ 4A, 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 470pF @ 25V |
| Power - Max | 65W |
| Packaging | Tube |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 15nC @ 10V |
| Package / Case | TO-220 |
| FET Feature | Standard |
| Lead Free Status | Lead Free |
| RoHS Status | RoHS Compliant |
| Other Names | FQP8P10 FQP8P10 |
| Product | Manufacturers | Pack | D/C |
| FQP8P10 | - | TO-220 | 05+ |
These P-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild's proprietary,planar stripe, DMOS technology.
This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode. These devices are well suited for low voltage applications such as audio amplifier,high efficiency switching DC/DC converters, and DC motor control.
Features |
| • -8.0A, -100V, RDS(on) = 0.53Ω @VGS = -10 V• Low gate charge ( typical 12 nC)• Low Crss ( typical 30 pF)• Fast switching• 100% avalanche tested• Improved dv/dt capability• 175°C maximum junction temperature rating |
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Symbol |
Parameter |
Units | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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VDSS |
Drain-Source Voltage |
-100 |
V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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ID |
Drain Current - Continuous (TC = 25°C)
- Continuous (TC = 100°C) |
-8.0 |
A | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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-5.7 |
A | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IDM |
Drain Current - Pulsed (Note 1) |
-32 |
A | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
VGSS |
Gate-Source Voltage |
± 30 |
V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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